關(guān)于微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)最新介紹
2019-04-09 15:20:08網(wǎng)絡(luò )資源
微電子學(xué)
業(yè)務(wù)培養目標：本專(zhuān)業(yè)培養掌握微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)所必需的基礎知識、基本理論和基本實(shí)驗技能，能在微電子學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、科技開(kāi)發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作的高級專(zhuān)門(mén)人才。
業(yè)務(wù)培養要求：本專(zhuān)業(yè)學(xué)生主要學(xué)習微電子學(xué)的基本理論和基本知識，受到科學(xué)實(shí)驗與科學(xué)思維的基本訓練，具有良好科學(xué)素養，掌握大規模集成電路及新型半導體器件的設計、制造及測試所必需的基本理論和方法，具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設計等的基本能力。
主干學(xué)科：電子科學(xué)與技術(shù)
主要課程：半導體物理及實(shí)驗、半導體器件物理、集成電路設計原理、集成電路工藝原理、集成電路CAD、微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)實(shí)驗和集成電路工藝實(shí)習等
主要實(shí)踐性教學(xué)環(huán)節：包括生產(chǎn)實(shí)習、畢業(yè)論文(設計)等，一般安排10～20周。
主要專(zhuān)業(yè)實(shí)驗：計算機輔助工藝模擬、計算機輔助版圖設計、用準靜態(tài)C—V法測量SiO?2的界面態(tài)、四探針?lè )y摻雜層的薄層電阻和MOS效應晶體管直流特性測量等
修業(yè)年限：四年
授予學(xué)位：理學(xué)或工學(xué)學(xué)士
相近專(zhuān)業(yè)：電子信息科學(xué)與技術(shù)、物理學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)
開(kāi)設院校：
上海大學(xué)北京大學(xué)南開(kāi)大學(xué)吉林大學(xué)復旦大學(xué)華東師范大學(xué)山東大學(xué)西安電子科技大學(xué)四川大學(xué)長(cháng)春理工大學(xué)蘇州大學(xué)合肥工業(yè)大學(xué)重慶郵電學(xué)院電子科技大學(xué)蘭州大學(xué)北方工業(yè)大學(xué)天津職業(yè)技術(shù)師范學(xué)院華北工學(xué)院揚州大學(xué)中山大學(xué)等
