免疫記憶
來(lái)源：高考網(wǎng)整理 2009-08-04 12:25:02
[標簽：細胞]
用同一抗原再次免疫時(shí)，可引起比初次更強的抗體產(chǎn)生，稱(chēng)之為再次免疫應答或免疫記憶，無(wú)論在體液免疫或細胞免疫均可發(fā)生免疫記憶現象。在體液免疫時(shí)，對TD抗原的再次應答可表現為抗體滴度明顯上升，免疫球蛋白類(lèi)別可由IgM轉換為IgG，而且抗體親和力增強。提示再次應答不僅發(fā)生抗體量的變化，而且也發(fā)生了質(zhì)的變化。實(shí)驗證明，免疫記憶的基礎是免疫記憶細胞的產(chǎn)生。
一、免疫記憶細胞
在載體-半抗原效應的研究中，已證明T細胞及B細胞都與免疫記憶有關(guān)。即在免疫應答過(guò)程中，既能產(chǎn)生B記憶細胞（Bm）,也能產(chǎn)生TH記憶（THm）。免疫記憶現象可以解釋為對特異抗原應答的淋巴細胞數量增加的現象。
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